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    巢湖西門子授權(quán)總代理

    發(fā)布時間: 2022-09-08  點擊次數(shù): 616次

    巢湖西門子授權(quán)總代理


    SIEMENS潯之漫智控技術(shù)(上海)有限公司

    本公司西門子自動化產(chǎn)品,質(zhì)量保證,價格優(yōu)勢

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      1、確定方案

      被控對象較差,工藝復雜,考慮用PLC控制。

      控制很簡單,可考慮用繼電器控制。

      用PLC控制,首先要了解的工作及所有功能要求,從而分析被控對象的控制,輸入/輸出量是開關(guān)量還是模擬量,明確控制要求,繪出控制的流程圖。

      2、選擇PLC機型

      PLC在可靠性上是沒有問題的,機型的選擇主要是考慮在功能上的要求。

      機型的選擇依據(jù):控制對象的輸入量、輸出量

      工作電壓

      輸出功率

      現(xiàn)場對的響應速度要求

      控制室與現(xiàn)場的距離等。

      3、選擇I/O設(shè)備,列出I/O地址分配表

      輸出設(shè)備:控制按鈕、行程開關(guān)、接近開關(guān)等

      輸出設(shè)備:器、電磁閥、燈等

      1)確定輸入、輸出設(shè)備的型號和數(shù)量;

      2)列寫輸入/輸出設(shè)備與PLC的I/O地址對照表;

      3)繪制接線圖及編程。

      分配I/O地址時應注意以下幾點:

      1)把所有按鈕、行程開關(guān)等集中配置,按順序分配I/O地址。

      2)每個I/O設(shè)備占用1個I/O地址。

      3)同一類型的I/O點應盡量安排在同一個區(qū)。

      4)彼此有關(guān)的輸出器件,如電動機正反轉(zhuǎn),其輸出地址應連續(xù)分配。

      4、設(shè)計電氣線路圖

      1)繪制電動機的主電路及PLC外部的其它控制電路圖。

      2)繪制PLC的I/O接線圖

      注:接在PLC輸入端的電器元件一律為常開觸點,如停止按鈕等。

      2)繪制PLC及I/O設(shè)備的供電圖

      輸入電路一般由PLC內(nèi)部提供電源,輸出電路根據(jù)負載的額定電壓外接電源。

      5、程序設(shè)計與調(diào)試

      程序設(shè)計可用設(shè)計法或功能表圖設(shè)計法,或者是兩者的組合。

      6、總裝調(diào)試

      接好硬件線路,把程序輸入PLC中,聯(lián)機調(diào)試。

      湖州西門子S7-400PLC模塊代理商

      PLC包含輸入模塊、輸出模塊和輸入/輸出模塊。因為許多輸入和輸出都涉及現(xiàn)實中的模擬變量——而控制器是數(shù)字式的—PLC硬件設(shè)計任務將主要圍繞如下方面展開:數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、輸入和輸出調(diào)理、輸入/輸出模塊的電氣連線與控制器之間以及模塊相互之間的隔離問題。

      I/O模塊的分辨率范圍從12位到16位,在整個工業(yè)級溫度范圍的精度為0.1%。模擬輸出電壓范圍通常為±5V、±10V或者0V~5V、0V~10V,電流范圍為4~20mA或0~20mA。對DAC的時間要求,從10ms一直到100ms,具體則取決于應用的實際要求。模擬輸入范圍廣泛,由電橋傳感器輸出的±10mV微弱電壓;也有電機控制器±10V的電壓,或者工業(yè)控制的4~20mA電流。轉(zhuǎn)換時間則取決于所要求的精度和所選用的ADC架構(gòu),從10SPS到幾百KSPS。

      數(shù)字隔離器、光耦隔離器或者電磁隔離器用來將現(xiàn)場的ADC、DAC和調(diào)理電路與數(shù)字端的控制器隔離開來。如果模擬端的也必須實現(xiàn)充分隔離的話,在輸入或者輸出的每個通道必須采用轉(zhuǎn)換器以便大限度通道間的隔離度—電源的隔離也是必需的。

      iCMOS 工藝

      iCMOS技術(shù)是一種新型的高性能制造工藝,它將高壓的集成電路與亞微米級CMOS和互補雙極型工藝融為一體,在PLC設(shè)計的輸入、輸出部分所使用。

      iCMOS技術(shù)使得單芯片的設(shè)計能夠融合5V CMOS并實現(xiàn)其與電壓更高的(16、24或者30V)CMOS電路的匹配——于是同一塊芯片將擁有多路不同電壓的電源。由于能夠如此靈活地將各種元件和工作電壓集成到一起,亞微米的iCMOS 器件具有更高的性能,其集成的功能更多,而功耗更低——而且所需要的電路板面積大大小于前幾代高壓產(chǎn)品。其中的雙極型工藝為ADC、DAC和低失調(diào)放大器提供了的基準源,出色的匹配特性和高度的性。

      薄膜電阻具有高達12位的初始匹配特性,經(jīng)過修調(diào)后可以實現(xiàn)16位的匹配,溫度和電壓系數(shù)與的多晶硅的電阻相比,了20倍,是高準確度、高精度的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的選擇。片上的薄膜熔斷器使得高精度轉(zhuǎn)換器的積分非線性、偏置和增益等性能可以用數(shù)字化的技術(shù)來校準。



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